автоэлектронный микроскоп, безлинзовый электроннооптический прибор для получения увеличенного в 10
5-10
6 раз изображения поверхности твёрдого тела. Э. п. был изобретён в 1936 немецким физиком Э. Мюллером. Основные части Э. п.: катод в виде острия с радиусом кривизны кончика Электр
онный про
ектор10
-7-10
-8 м; стеклянная сферическая или конусообразная колба, дно которой покрыто слоем люминофора; и анод в виде проводящего слоя на стенках колбы или проволочного кольца, окружающего катод. При прогреве острия его кончик становится монокристаллическим и приобретает округлённую форму. Колба вакуумируется (остаточное давление Электр
онный про
ектор10
-9-10
-11 мм рт. ст.)
. Когда на анод подают положительное напряжение в несколько тыс. вольт относительно расположенного в центре колбы катода-острия,
Напряжённость электрического поля в непосредственной близости от кончика острия достигает 10
-7-10
-8 в/см. Это обеспечивает интенсивную автоэлектронную эмиссию (см.
Туннельная эмиссия)
с кончика катода. Электроны, ускоряясь в радиальных (относительно кончика) направлениях, бомбардируя экран и вызывая свечение люминофора, создают на экране увеличенное изображение поверхности катода, отражающее симметрию кристаллической структуры острия (см.
рис.)
. Увеличение в Э. п. равно отношению
R/β
r, где
R - расстояние катод - экран,
r - радиус кривизны острия, β - фактор, характеризующий отклонение формы эквипотенциальных поверхностей электрического поля от сферической. Разрешающую способность (См.
Разрешающая способность) Э. п. ограничивают наличие тангенциальных составляющих скоростей автоэлектронов у кончика острия и (в меньшей степени) явление дифракции электронов. Предел разрешения Э. п. составляет (2-3)․10
-7 см. Э. п. применяется для изучения автоэлектронной эмиссии металлов и полупроводников, определения работы выхода (См.
Работа выхода) с разных граней монокристалла и пр. Для наблюдения фазовых переходов (См.
Фазовый переход)
, изучения адсорбции (См.
Адсорбция) атомов различных веществ на металлической или полупроводниковой поверхности и т. д. Э. п. используют весьма ограниченно, т. к. намного большие возможности в этих отношениях даёт применение ионного проектора.
Рис. 2б. Изображения поверхности вольфрамового острия радиусом 950 Å при увеличении в 106 раз в гелиевом ионном проекторе (б) при температуре 22 К. С помощью ионного проектора за счёт разрешения отдельных атомов (светлые точки на кольцах) можно различить бисерно-цепочечную структуру ступеней кристалической решётки.
Рис. 2a. Изображения поверхности вольфрамового острия радиусом 950 Å при увеличении в 106 раз в электронном проекторе (а). На изображении можно видеть только структуру кристаллических плоскостей.
